Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2565923 Art A3 9. März 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2565923
Aktenzeichen: EP12181525
Anmeldetag: 23. August 2012
Veröffentlichung: 9. März 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108H01L49/02

Abstract

A semiconductor device has a memory region (200) comprising a capacitor (19) and a logic circuit region (100). The device features reduced variation in capacitor characteristics. In the semiconductor device, a protective layer (80, 78a, 72a) is provided at the periphery of the upper end portion of a recess in which the capacitor is formed. This protective layer has a dielectric constant higher than that of an insulating layer (7b) placed in the same layer as the protective layer and configuring a multilayer wiring layer (8b) placed in the logic circuit region.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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