Transistor mit Z2FET-Feldeffekt, der unter die vertikale Schwelle abfällt und ohne Ionisierung durch Aufprall
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2568507
- Aktenzeichen
- EP12354043
- Anmeldetag
- 11. September 2012
- Veröffentlichung
- 13. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Fachgebiete
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.