Halbleiterbauteil mit Defektreicher Schicht zur Optimalen Kontaktierung von Emittern sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP2569805
Art A1
20. März 2013
Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2569805
- Aktenzeichen
- EP11717511
- Anmeldetag
- 5. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 20. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0216H01L31/0224H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Fraunhofer-Gesellschaft
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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