Siliciumnitridfilm für ein Halbleiterbauelement sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung des Siliciumnitridfilms

EP2573803 Art A1 27. März 2013

Anmelder: Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2573803
Aktenzeichen
EP11783423
Anmeldetag
11. Mai 2011
Veröffentlichung
27. März 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/318B32B9/04C23C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Mitsubishi Heavy Industries

Japanischer Industriekonzern, der in Bereichen wie Energieerzeugung, Luft- und Raumfahrt, Schiffbau, Maschinenbau und Klimatechnik tätig ist und ein breites Spektrum an Industrieanlagen und -maschinen herstellt.

5.548 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen