Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für das Halbleiterbauelement

EP2573822 Art B1 19. Dezember 2018

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2573822
Aktenzeichen: EP11783455
Anmeldetag: 13. Mai 2011
Veröffentlichung: 19. Dezember 2018
Erteilung: 19. Dezember 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/04B24B27/06H01L21/22

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von