Verbinddungshalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2575180
Art B1
5. Juli 2017
Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2575180
- Aktenzeichen
- EP12179147
- Anmeldetag
- 3. August 2012
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2017
- Erteilung
- 5. Juli 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJITSU LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
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Fachgebiete
Vertreten von
Fenlon, Christine Lesley
London, Großbritannien
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