Strukturen und Verfahren für Speicherzellen mit Variablem Widerstand

EP2577731 Art B1 22. Juni 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc., Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2577731
Aktenzeichen
EP11787006
Anmeldetag
9. Mai 2011
Veröffentlichung
22. Juni 2016
Erteilung
22. Juni 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L45/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Micron Technology, Inc.
Micron Technology, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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