Verfahren zur Herstellung einer Silizium-auf-Isolator-Struktur

EP2579303 Art B1 3. Dezember 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2579303
Aktenzeichen: EP12187002
Anmeldetag: 2. Oktober 2012
Veröffentlichung: 3. Dezember 2014
Erteilung: 3. Dezember 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762// H01L21/3105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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