Herstellungsmethode für Dünnfilmtransistor

EP2579315 Art B1 15. August 2018

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2579315
Aktenzeichen: EP11789385
Anmeldetag: 27. April 2011
Veröffentlichung: 15. August 2018
Erteilung: 15. August 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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