Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafür

EP2579316 Art B1 2. September 2015

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2579316
Aktenzeichen: EP11789404
Anmeldetag: 23. Mai 2011
Veröffentlichung: 2. September 2015
Erteilung: 2. September 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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