Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbideinzelkristalls und eines Siliciumcarbidsubstrats

EP2584590 Art A1 24. April 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2584590
Aktenzeichen: EP11795440
Anmeldetag: 25. Februar 2011
Veröffentlichung: 24. April 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B29/36H01L21/02C30B23/02C30B23/06C30B33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von