Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauelements und Vorrichtung zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauelements

EP2584592 Art A1 24. April 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2584592
Aktenzeichen: EP11795441
Anmeldetag: 25. Februar 2011
Veröffentlichung: 24. April 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316H01L21/304H01L21/336H01L29/12H01L29/78H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von