Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Durchkontaktierung und einer Deckschicht und entsprechendes Halbleiterbauelement
EP2584598
Art B1
5. Dezember 2018
Anmelder: ams AG, austriamicrosystems AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2584598
- Aktenzeichen
- EP11185999
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2018
- Erteilung
- 5. Dezember 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ams AG
austriamicrosystems AG - Land
- 🇦🇹 Österreich
🇩🇪
ams OSRAM
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
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