Nachweisverfahren für Integrierte Halbleiterschaltvorrichtungen und Integrierte Halbleiterschaltvorrichtung
EP2584599
Art A1
24. April 2013
Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2584599
- Aktenzeichen
- EP11795702
- Anmeldetag
- 13. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 24. April 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/822G01R31/28H01L21/66H01L27/00H01L27/04H01L23/48H01L25/065H01L27/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hamamatsu Photonics K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hamamatsu Photonics
Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München