Verfahren zur Herstellung eines Substrats mittels Implementierung und Bestrahlung

EP2586054 Art A1 1. Mai 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2586054
Aktenzeichen: EP11725696
Anmeldetag: 8. Juni 2011
Veröffentlichung: 1. Mai 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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