Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
EP2587525
Art B1
25. März 2020
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2587525
- Aktenzeichen
- EP11826848
- Anmeldetag
- 20. September 2011
- Veröffentlichung
- 25. März 2020
- Erteilung
- 25. März 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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