Lichtmusterbelichtungsverfahren
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Toppan Printing Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2594991
- Aktenzeichen
- EP12192899
- Anmeldetag
- 16. November 2012
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2016
- Erteilung
- 18. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/00G03F1/32G03F1/60G03F1/26
Abstract
A light pattern exposure method is by irradiating ArF excimer laser light to a resist film through a halftone phase shift mask. The mask includes a transparent substrate and a pattern of halftone phase shift film of a material comprising a transition metal, silicon, nitrogen and oxygen and having an atomic ratio (Met/Si) of 0.18-0.25, a nitrogen content of 25-50 atom%, and an oxygen content of 5-20 atom%. The mask may be irradiated with ArF excimer laser light in a cumulative dose of at least 10 kJ/cm 2 .
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Toppan Printing Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.
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