Senkrecht magnetisierte Dünnschichtstruktur und Verfahren zur Herstellung davon

EP2595164 Art B1 10. Januar 2018

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2595164
Aktenzeichen: EP12192825
Anmeldetag: 15. November 2012
Veröffentlichung: 10. Januar 2018
Erteilung: 10. Januar 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01F41/32H01F10/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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