Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement

EP2599579 Art B1 11. März 2020

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2599579
Aktenzeichen
EP11812309
Anmeldetag
19. Juli 2011
Veröffentlichung
11. März 2020
Erteilung
11. März 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/473// B23K26/38
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Hamamatsu Photonics K.K.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

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