Halbleiterelement, Hemt-Element und Herstellungsverfahren für das Halbleiterelement

EP2600393 Art A1 5. Juni 2013

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2600393
Aktenzeichen: EP11812267
Anmeldetag: 13. Juli 2011
Veröffentlichung: 5. Juni 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/338// H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

4.049 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von