Halbleitervorrichtung mit Isolationsgräben
EP2602828
Art A1
12. Juni 2013
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2602828
- Aktenzeichen
- EP11192471
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
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