Gatter mit drei Zuständen
EP2605407
Art A1
19. Juni 2013
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2605407
- Aktenzeichen
- EP11290575
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K19/094
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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