Zusammensetzung zur Bildung einer dielektrischen Dünnschicht, Verfahren zur Bildung einer dielektrischen Dünnschicht und durch das Verfahren gebildete dielektrische Dünnschicht
EP2608219
Art B1
4. März 2015
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, STMicroelectronics (Tours) SAS 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2608219
- Aktenzeichen
- EP11306708
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 4. März 2015
- Erteilung
- 4. März 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01B3/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Materials Corporation
STMicroelectronics (Tours) SAS - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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