Verfahren zur Herstellung einer Organischen Halbleiterdünnschicht und einer Monokristallinen Organischen Halbleiterdünnschicht
EP2608251
Art A1
26. Juni 2013
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2608251
- Aktenzeichen
- EP11818118
- Anmeldetag
- 10. August 2011
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/368H01L51/05H01L51/40C09D11/00H01L51/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Vertreten von
de Kernier, Gabriel
München, Deutschland
186
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Schwerpunkte