Gerichtet erstarrtes Hochtemperatur- und Einzelkristalldruckgießen

EP2610021 Art A3 15. November 2017

Anmelder: United Technologies Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2610021
Aktenzeichen
EP12198604
Anmeldetag
20. Dezember 2012
Veröffentlichung
15. November 2017
Rechtsraum
EP
IPC
B22D15/04B22D27/04B22C9/06B22D17/22C30B11/14
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
United Technologies Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 RTX Corporation

US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungskonzern, entstanden aus Raytheon und United Technologies. Entwickelt und fertigt Triebwerke, Avionik, Radarsysteme, Raketen- und Verteidigungstechnik für zivile und militärische Kunden.

10.400 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen