Mehrebenenbetrieb eines Nichtflüchtigen Speichers auf Streifenbasis
EP2612247
Art B1
8. Juni 2016
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2612247
- Aktenzeichen
- EP11822248
- Anmeldetag
- 29. August 2011
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2016
- Erteilung
- 8. Juni 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F12/00G11C16/10G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
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