Verfahren zum Nasschemischen Ätzen einer Hochdotierten Halbleiterschicht
Anmelder: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Schott Solar AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2612362
- Aktenzeichen
- EP11754360
- Anmeldetag
- 2. September 2011
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0224
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Schott Solar AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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Fachgebiete
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