IE-Graben-Gate-IGBT

EP2613356 Art B1 4. Juli 2018

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2613356
Aktenzeichen: EP13150257
Anmeldetag: 4. Januar 2013
Veröffentlichung: 4. Juli 2018
Erteilung: 4. Juli 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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