Verfahren zur Bildung einer Resiststruktur

EP2615497 Art A1 17. Juli 2013

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2615497
Aktenzeichen: EP11822839
Anmeldetag: 1. September 2011
Veröffentlichung: 17. Juli 2013
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/11G03F7/004G03F7/038G03F7/039G03F7/32H01L21/027G03F7/075G03F7/09

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von