Epitaktisches Substrat für ein Halbleiterelement, Verfahren zur Herstellung des Epitaktischen Substrats für ein Halbleiterelement und Halbleiterelement
EP2615629
Art A1
17. Juli 2013
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2615629
- Aktenzeichen
- EP11823394
- Anmeldetag
- 19. August 2011
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C23C16/34C30B23/02C30B25/18C30B29/40C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
4.049 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
1.221
Patente gesamt
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Fachgebiete
13
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