Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiter-Lichtemissionselements und Gruppe Iii-Nitrid Halbleiter-Lichtemissionselement

EP2615651 Art A1 17. Juli 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2615651
Aktenzeichen: EP11823436
Anmeldetag: 29. August 2011
Veröffentlichung: 17. Juli 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L33/32H01L33/36// H01L33/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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