Verfahren zur Deformierung eines Dünnfilmmusters, und Herstellungsverfahren von Transistoren, bei dem dieses Verfahren umgesetzt wird
Anmelder: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2620984
- Aktenzeichen
- EP13152758
- Anmeldetag
- 25. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 7. September 2016
- Erteilung
- 7. September 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/66H01L21/762H01L29/10H01L21/02H01L29/786H01L21/66
Abstract
The method involves etching at a periphery of a surface having dimensions greater than that of a pattern surface, of a buried layer of silicon oxide (3) and of a stress layer of silicon-germanium alloy (2) over a part of the depth of the layer of alloy, where the buried layer of silicon oxide is situated between a semiconductive material layer i.e. silicon layer (4), and the stress layer of silicon-germanium alloy. A function related to the trend of optimum thickness of the layer of alloy is determined as a function of a pattern dimension to obtain maximum stress in the pattern. An independent claim is also included for a method for manufacturing a transistor.
Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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