Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung

EP2624286 Art B1 11. November 2020

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., Fuji Electric Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2624286
Aktenzeichen: EP10857866
Anmeldetag: 30. September 2010
Veröffentlichung: 11. November 2020
Erteilung: 11. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/683H01L21/331H01L23/544H01L29/06H01L29/739G03F9/00// H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
Fuji Electric Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von