Feldeffekttransistor und Herstellungsverfahren dafür
EP2625730
Art A1
14. August 2013
Anmelder: Georgia Tech Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2625730
- Aktenzeichen
- EP11770029
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 14. August 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L51/05
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Georgia Tech Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Georgia Tech Research Corporation
Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.
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Edenkoben, Deutschland
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Dr. Langfinger & Partner
Dr. Langfinger & Partner · Frankfurt am Main