Halbleiterheterostruktur und Hemt-Transistor, insbesondere für Niederfrequente Rauscharmer Kryogene Anwendungen
EP2628185
Art B1
27. Mai 2015
Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2628185
- Aktenzeichen
- EP11776554
- Anmeldetag
- 7. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2015
- Erteilung
- 27. Mai 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Centre National de la Recherche Scientifique
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Fachgebiete
Kanzlei
Cabinet Benech
Paris, Frankreich
Kanzlei für Rechtsanwälte und Berater im gewerblichen Rechtsschutz mit Hauptsitz in Paris und weiterem Büro in Nantes. Berät zu Patenten, Marken, Urheberrecht und unlauterem Wettbewerb.
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Gevers & Orès
Gevers & Orès · Paris La Défense