Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge, Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Optoelektronisches Bauteil
EP2628191
Art A1
21. August 2013
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2628191
- Aktenzeichen
- EP11763943
- Anmeldetag
- 30. September 2011
- Veröffentlichung
- 21. August 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L33/22H01L33/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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Epping, Wilhelm
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