Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2629329 Art A3 12. Juli 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2629329
Aktenzeichen: EP13154314
Anmeldetag: 7. Februar 2013
Veröffentlichung: 12. Juli 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8234H01L27/088H01L23/34H01L21/50H01L23/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von