Programmierung eines Speichers mit unterschiedlichen Bits pro Zelle
EP2631915
Art B1
25. November 2015
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2631915
- Aktenzeichen
- EP13002514
- Anmeldetag
- 11. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 25. November 2015
- Erteilung
- 25. November 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/56G11C16/04G11C29/02G11C7/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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