Verfahren zur Verbesserung einer P-Dotierung in Iii-Iv-Halbleiterschichten

EP2636060 Art A1 11. September 2013

Anmelder: University of Utah Research Foundation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2636060
Aktenzeichen
EP11837213
Anmeldetag
28. Oktober 2011
Veröffentlichung
11. September 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8252H01L21/02H01L21/36
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
University of Utah Research Foundation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 University of Utah Research Foundation

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