Verfahren zur Verbesserung einer P-Dotierung in Iii-Iv-Halbleiterschichten
EP2636060
Art A1
11. September 2013
Anmelder: University of Utah Research Foundation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2636060
- Aktenzeichen
- EP11837213
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 11. September 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8252H01L21/02H01L21/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- University of Utah Research Foundation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
University of Utah Research Foundation
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Leppard, Andrew John
Bath, Großbritannien
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