Oxidations-/glühbehandlungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors mit Oxidations-/glühbehandlung

EP2637201 Art A1 11. September 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2637201
Aktenzeichen: EP11837733
Anmeldetag: 28. Oktober 2011
Veröffentlichung: 11. September 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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