Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitervorrichtung, Verfahren zur Herstellung von Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitervorrichtungen und Epitaktisches Substrat

EP2637267 Art A1 11. September 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2637267
Aktenzeichen: EP11837949
Anmeldetag: 28. Oktober 2011
Veröffentlichung: 11. September 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/323H01L21/205H01L33/16H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von