Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2639818
Art A3
18. Januar 2017
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2639818
- Aktenzeichen
- EP13157686
- Anmeldetag
- 4. März 2013
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L27/115H01L29/788H01L29/792H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Calderbank, Thomas Roger
NoneLondon