Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Halbleiterchips und Derartiger Halbleiterchip

EP2643859 Art A1 2. Oktober 2013

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2643859
Aktenzeichen
EP11773460
Anmeldetag
21. Oktober 2011
Veröffentlichung
2. Oktober 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/00H01S5/343H01S5/02H01S5/323
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.304 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen