Lichtaufnahmeelement, Halbleiter-Epitaxial-Wafer, Verfahren zur Herstellung des Lichtaufnahmeelements und des Halbleiter-Epitaxial-Wafers sowie Detektionsvorrichtung damit
EP2648234
Art A1
9. Oktober 2013
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2648234
- Aktenzeichen
- EP11844996
- Anmeldetag
- 29. November 2011
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/10H01L31/0304H01L21/205H01L27/146H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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