Verfahren für Epitaxiales Wachstum von Einkristallinem Siliciumcarbid

EP2657377 Art B1 21. November 2018

Anmelder: Toyo Tanso Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Aechter, Bernd München, Deutschland

Patente gesamt

Fachgebiete

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Medizintechnik & Gesundheit Organische Chemie Kunststoff- & Polymertechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Verfahrens- & Trenntechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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