Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung

EP2657959 Art A1 30. Oktober 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2657959
Aktenzeichen: EP11847884
Anmeldetag: 9. August 2011
Veröffentlichung: 30. Oktober 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L21/265H01L21/28H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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