Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit lokaler Source-/Drainisolation
EP2657961
Art B1
23. März 2016
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2657961
- Aktenzeichen
- EP13177706
- Anmeldetag
- 19. September 2003
- Veröffentlichung
- 23. März 2016
- Erteilung
- 23. März 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/06H01L29/417H01L29/66H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
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Weitere Vertreter
-
Karl, Frank
NoneBaldham