Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2660366 Art B1 2. Dezember 2020

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2660366
Aktenzeichen: EP11847883
Anmeldetag: 12. Oktober 2011
Veröffentlichung: 2. Dezember 2020
Erteilung: 2. Dezember 2020
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/36C03B23/06H01L21/20H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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