Verfahren zur Herstellung von Hochreinem Lanthan, Hochreines Lanthan, Sputtering-Target aus dem Hochreinen Lanthan sowie Metall-Gatefilm mit dem Hochreinen Lanthan als Hauptkomponente
EP2666877
Art B1
15. Mai 2019
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2666877
- Aktenzeichen
- EP12736158
- Anmeldetag
- 17. Januar 2012
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2019
- Erteilung
- 15. Mai 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C22B59/00C22B9/22C23C14/34H01L21/28H01L21/285C22C28/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
1.088 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
München, Deutschland
1.651
Patente gesamt
34
Fachgebiete
27
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Schwerpunkte