Nanodraht-Transistor, Herstellungsverfahren des Transistors und Halbleiterbauteil das diesen Transistor integriert

EP2667416 Art A1 27. November 2013

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CNRS, Université Joseph Fourier - Grenoble, Universite Joseph Fourier - Grenoble 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2667416
Aktenzeichen: EP13168972
Anmeldetag: 23. Mai 2013
Veröffentlichung: 27. November 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/775H01L29/06H01L21/336H01L29/40H01L29/417H01L29/423H01L29/41B82Y10/00B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
CNRS
Université Joseph Fourier - Grenoble
Universite Joseph Fourier - Grenoble
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.

8.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von